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Hugues MURRAY

22 octobre 2010

 

Hugues MURRAY
Professeur émérite

 

 

 

 

 

contact :

Tel. : +33.2.31.06.27.29
e-mail : hugues_murray@presto-eng.com

 

Activité de recherche

 
Domaine scientifique principal : Sciences pour l’ingénieur
 
Mots Clefs :Transistor MOSFET, Atomic Force Microscopy , Modélisation électromagnétique
 
Thèmes de Recherche :
1 - Modélisation électrique de l’interaction pointe-substrat en microscopie à force atomique (Scanning Capacitance Microscopy et Scanning Spreading Resistance Microscopy).
2 - Modélisation des modèles thermiques intervenant dans la caractérisation des composants par illumination optique infra-rouge (Optical Beam Induce Resistance CHange)
3 - Modélisation des couplages magnétiques intervenant entre les composants en vue d’applications en compatibilité électromagnétique
4 - Modélisation de composants semiconducteurs à l’échelle nanométrique
 
Collaborations : (i) nationales : CNES toulouse

Publications récentes

 
H. MURRAY, P. MARTIN, S. BARDY and F. MURRAY
Taylor expansions of band-bending in MOS capacitance. Application to scanning capacitance microscopy.
Semiconductor Science and Technology 23 (2008) 035016
 
A.REVERDY, M. de la BARDONNIE, P. POIRIER, H. MURRAY, A.DOUKKALI, P. PERDU
Dynamic study of the Thermal Laser Stimulation Response on advanced technology structures.
Microelectronic and Reliability. 48 (2008), pp. 1689-1695
 
H. MURRAY
Analytic resolution of Poisson-Boltzmann equation in nanometric semiconductor junctions
Solid-State Electronics 53 (2009) 107-116
 
H. MURRAY, P.MARTIN and S. BARDY
Taylor Expansion of Surface Potential in MOSFET : Application to Pao-Sah Integral,

Active and Passive Electronic Components, vol. 2010, Article ID 268431, 11 pages, doi:10.1155/2010/268431