Accueil du site > Groupes et Services > Groupes de spécialités > Films minces
Croissance de films minces d’oxydes par pulvérisation cathodique ou ablation laser pulsé.
Effet de l’interaction film substrat sur les propriétés structurales et physiques des matériaux.
Croissance d’hétérostructures et de super-réseaux pour de nouvelles propriétés physiques.
Croissances d’oxydes complexes sur silicium.
Films minces d’oxydes.
Ablation laser.
Pulvérisation cathodique.
Hétérostructcures et super-réseaux
Études structurales et microstructurales (diffraction des rayons X et microscopie électronique en transmission).
Études des propriétés électriques et magnétiques
les objectifs du groupe peuvent être décrit en trois termes :
COMPRENDRE :
Les interactions entre film et substrat ainsi que les évolutions des propriétés structurales et physiques qui en découlent.
Les mécanismes de croissance des hétérostructures ou des super-réseaux.
IMAGINER :
Croissance de nouveaux édifices pour créer de nouvelles propriétés résultant de l’interaction entre les différentes partie de ces édifices.
APPLIQUER :
Utiliser les connaissances acquises pour optimiser la croissance de nouveaux films afin de les incorporer dans des dispositifs de la microélectronique.
IEF (Orsay)
University of Porto (Portugal)
University of Antwerpen (Belgium)
Université de Sherbrooke (Canada)
Seoul National University (Korea)
Indian Institute of Technology Kanpur (India)
Indian Institute of Technology Chennai (India)
Nanyang Technological University (Singapore)
Sous-rubriques :